【技術文章】薄膜的力學性質概述 2014-06-30

薄膜的力學性質主要包括附著性質、應力性質、彈性性質和機械強度等。薄膜和基片之間的附著性能好壞將直接影響到薄膜的使用性能。在某些情況下還需考慮薄膜的其他力學性能，如主要用于增強基體的硬度與耐摩擦能力的超硬薄膜，則需要考慮耐壓強度。

【技術文章】現(xiàn)代薄膜分析方法 2014-06-25

針對不同的研究對象，常常需要采用不同的研究手段，對于薄膜材料的結構或成分分析的研究也如此。對于早期的光學涂層薄膜材料，人們對其研究主要涉及薄膜的厚度、均勻性以及它的光學性能。在電子技術發(fā)展以后，人們對薄膜的研究相應地擴展到了薄膜的各種結構特征、成分分布、界面...

【技術文章】Monte Carlo模擬方法需做以下處理 2014-06-23

(1)雖然沉積粒子所釋放的動能和結合能將導致沉積原子附近局部溫度升高，但整個基體的溫升是極其微小的，因此可認為薄膜生長是等溫生長過程。 (2)當人射粒子在基體表面上的能量足夠大時，該粒子不但可以在膜層表面進行遷移運動，甚至可以在垂直方向進行運動，若...

【技術文章】Monte Carlo模擬薄膜生長的模型 2014-06-20

模型的建立 薄膜沉積過程是一個非常復雜的物理化學變化過程。薄膜生長的整個過程不僅涉及到晶粒的生長、晶粒間的相互作用、邊界運動等因素的機理，也涉及空間填補的拓撲幾何機理。因此，要對此進行實際真實的模擬是不可能的，只能是針對研究的目的，建立合適的理想模...

【技術文章】薄膜生長是過程的算法三全表法KMC 2014-06-18

在這種方法中，對每一種可能的原子遷移都要枚舉，建立了一個包括各種可能發(fā)生的事件，以及每個事件對應的激活能的大表。這是一種比較準確的方法，但這種方法在具體應用中非常復雜。例如當初始位置和目標位置各有12個最近鄰時，在遷移過程中總共就要涉及到18個晶位，那么就有...

【技術文章】薄膜生長是過程的算法二鍵計數(shù)KMC 2014-06-16

該方法用原子遷移時的激活能來確定某一事件的發(fā)生概率。激活能由遷移原子初始位置的最近鄰的數(shù)目確定，或者由遷移原子初始位置最近鄰的數(shù)目和遷移目標位最近鄰的數(shù)目之差來確定。這種方法的優(yōu)點是在所建立的模型比較合理時，能夠準確地研究原子的環(huán)境變化。但是，激活能的計算并...

【技術文章】薄膜生長是一個隨機過程的算法一 2014-06-14

薄膜生長是一個隨機過程，利用Monte Carlo算法模擬薄膜的生長過程是研究其生長機理的有效途徑。目前，Monte Carlo法模擬薄膜生長主要有3種算法: 1)指定事件的Kinetic Monte Carlo(KMC) 這種...

【技術文章】計算機模擬薄膜形成過程的兩種方法 2014-06-12

隨著計算機科學的發(fā)展，從20世紀70年代開始，國際上許多研究工作者用計算機模擬方法研究薄膜的形成過程。利用計算機模擬薄膜形成過程時大體可以采用兩種方法:蒙特卡羅方法和分子動力學方法。 蒙特卡羅(Monte Carlo)方法又稱隨機模擬法或統(tǒng)計試驗法...

【技術文章】薄膜結構與沉積原子的人射方向也有關 2014-06-09

薄膜結構與沉積原子的人射方向也有關。原子人射角的大小對薄膜結構有很大影響，使薄膜產(chǎn)生各向異性。隨著結晶顆粒的增大，而入射的沉積原子就逐漸沿著原子的人射方向長大，于是會產(chǎn)生所謂的自身影響效應，從而使薄膜表面出現(xiàn)凹凸不平，缺陷較多，并出現(xiàn)各向異性。這種沿原子人射...

【技術文章】低沉積速率使膜層結構疏松 2014-06-04

低沉積速率使膜層結構疏松，電子越過其勢壘產(chǎn)生電導的能力弱，加上氧化和吸附作用，所以電阻值較高，電阻溫度系數(shù)偏小，甚至為負值。隨著沉積速率的增大，電阻值也由大到小，而溫度系數(shù)卻由小到大，由負變正。這是由于低沉積速率的薄膜由于氧化而具有半導體特性，所以溫度系數(shù)出...